“目前在MEMS市场所要求的成本和可用的先进CMOS设备之间存在着巨大的差距。”他认为，“不过，相较于为先进CMOS开发的制程，这还需要更简单且更低成本的TSV制程等技术支援。”
Teledyne Dalsa目前正与Alchimer合作开发低成本的湿式铜制程后钻孔(Via-Last) MEMS TSV途径。Teledyne DALSA的Via-Last技术采用铜钻孔，并利用Alchimer的低温电化学制程，形成具有5微米直径x100微米深完美填充的穿孔，并利用铜再分布层和镍/金UBM连接到外部。但该制程目前仅适用200mm晶圆，因此，“我们需要MEMS制造商和设备与材料供应商之间展开更加密切的合作，共同开发出更低成本的方法来推动创新进展。”
